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IDT7034S/L
High-Speed 4K x 18 Dual-Port Static RAM
Timing of Power-up Power-down
CE
t PU
I CC
50%
I SB
Industrial and Commercial Temperature Ranges
t PD
50%
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage (5)
4089 drw 06
,
7034X15
Com'l Only
7034X20
Com'l & Ind
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
WRITE CYCLE
t WC
t EW
t AW
t AS
t WP
t WR
t DW
t HZ
t DH
t WZ
t OW
t SWRD
t SPS
Write Cycle Time
Chip Enable to End-of-Write (3)
Address Valid to End-of-Write
Address Set-up Time (3)
Write Pulse Width
Write Recovery Time
Data Valid to End-of-Write
Output High-Z Time (1,2)
Data Hold Time (4)
Write Enable to Output in High-Z (1,2)
Output Active from End-of-Write (1,2,4)
SEM Flag Write to Read Time
SEM Flag Contention Window
15
12
12
0
12
0
10
____
0
____
0
5
5
____
____
____
____
____
____
____
10
____
10
____
____
____
20
15
15
0
15
0
15
____
0
____
0
5
5
____
____
____
____
____
____
____
12
____
12
____
____
____
ns
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ns
NOTES:
4089 tbl 13
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. To access RAM, CE = V IL , UB or LB = V IL , SEM = V IH . To access semaphore, CE = V IH or UB & LB = V IH , and SEM = V IL . Either condition must be valid for the entire
t EW time.
4. The specification for t DH must be met by the device supplying write data to the RAM under all operating conditions. Although t DH and t OW values will vary over voltage and
temperature, the actual t DH will always be smaller than the actual t OW .
5. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
8
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